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                  MPW服務

                      在集成電路原型(Prototype)設計階段,為了驗證設計,必須進行工程流片,即把設計變成原型樣片。而從原型樣片到實用化的產品,還需要經過多次修改,優化設計,最終形成實用化產品。在這個過程中,就芯片的數量而言,通常的工程流片,在一片晶圓片上只有一種集成電路設計項目,而一次工程流片至少需要6~12片晶圓,制造出的芯片數量將達到上千顆,遠多于原型設計階段實驗、測試所需的數量。如果設計有缺欠甚至不成功,則所有的芯片全部報廢;就流片的費用而言,每一次從設計到樣片的轉變都伴隨著高昂的流片費用的發生。這使得集成電路研制開發階段的費用變成一種風險很大的投入。
                      多項目晶圓(MPW服務)就是將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一晶圓片上流片,流片后,每個設計品種可以得到充分滿足開發階段實驗、測試數量的芯片樣品,而實驗費用就由所有參加MPW的項目按照芯片面積分攤,這樣一來,實驗成本僅為原來的5%——10%,極大的降低了培養集成電路設計人才和中小集成電路設計企業在起步時的門檻,也為集成電路設計師的大膽創新提供了一個寬松的設計環境,有效的推動了集成電路產業的發展。
                      在集成電路設計開發階段,工程流片是芯片物理實現的必經步驟。世紀芯在多年的集成電路設計與分析測試應用經驗積累的基礎上,正式啟動MPW服務項目,針對多條工藝線開展大規模的MPW計劃,建立和運作MPW公共投片平臺和服務體系,旨在幫助客戶以低廉的成本、快捷的方式在硅片上實現其設計原型以及新設計架構:
                      (1)提供多家Foundry 合作伙伴的設計接口服務。協助為設計公司提供各種工藝的設計庫、設計規則、設計模型、IP庫和Design Kit 。
                      (2)建立FOUNDRY工藝的Shuttle投片服務體系以及獨立開展MPW投片服務。
                      (3)承接批量投片服務。
                      世紀芯目前可以提供8英寸圓片的0.35um、0.25um、0.18um和0.15um的CMOS工藝加工服務,并將繼續開發更先進的工藝流程,同時可以為流片提供工藝支持。另外,在標準單元庫、設計參數和IP單元方面也可提供技術支持。

                  世紀芯MPW服務內容:
                  (1)承接以行為描述交付的設計,為其完成后續設計任務,包括邏輯綜合、物理布圖、后仿真、驗證直至工藝流片,向用戶提交經過封裝、測試的IC成品。
                   。2)承接以網表交付的設計,為其完成后續設計任務包括物理布圖、后仿真、驗證直至工藝流片,向用戶提交已經封裝、但未經測試的芯片。
                   。3)承接以版圖交付的設計,為其完成后續設計任務包括設計規則復查、制版數據處理及工藝流片,向用戶提交未經封裝、測試的芯片。
                   。4)承接“逆向”設計任務,即用戶只提供樣品,便可得到與樣品功能兼容的芯片。
                   
                  制造工藝:

                  MPW機構
                  Process
                  Technology
                  CSMC
                  0.6um
                  CSMC-HJ 0.6um CMOS 2P2M Mixed-mode
                  0.5um
                  CSMC-HJ 0.5um CMOS  Logic
                  SMIC
                  0.35um
                  1P4M Logic3.3V/5V(Polycide & Silicide)
                  2P3M Mixed Signal Polycide 3.3V
                  2P3M EEPROM
                  0.25um
                  1P5M Logic 2.5/3.3V
                  1P5M Mixed Signal 2.5/3.3V (Logic base + MIM +DNW+ Induct)
                  1P5M Mixed Signal 2.5/3.3V (Logic base+Median/Low/Zero/native or+MIM+DNW+Induct)
                  0.18um
                  1P6M Logic 1.8/3.3V
                  Chartered
                  0.35um
                  Logic,RF/MS,OTP,HV or EEPROM
                  0.25um/0.22um
                  Logic,RF/MS
                  0.18um
                  Logic,RF/MS
                  0.13um
                  Logic,RF/MS
                  90nm
                  Logic,RF/MS
                  RCL
                  1.5um
                  CMOS 2P1M 5/1.5V
                  3.0um
                  HV CMOS 2P1M 12V
                  2.0um
                  CMOS 2P1M 5/1.5V
                  3.0um
                  CMOS 2P1M 12V

                   
                   

                   

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